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簡要描述：單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm單層比：99%純度：99%堆積密度：0.44g/cm3體積密度：為0.26g/cm3
更新時間：2024-06-04產(chǎn)品型號： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家訪 問 量：1540詳細(xì)介紹
單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3
TEM of Graphene Oxide
*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound
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